Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires. ©Electre 2025
Paru le : 17/10/2005
Thématique : Electronique
Auteur(s) : Non précisé.
Éditeur(s) :
Lavoisier-Hermès
Lavoisier
Collection(s) : Traité EGEM
Contributeur(s) : Directeur de publication : Philippe Cazenave
Série(s) : Modélisation du transistor bipolaire intégré
ISBN : Non précisé.
EAN13 : 9782746211728
Reliure : Broché
Pages : 234
Hauteur: 24.0 cm / Largeur 16.0 cm
Poids: 490 g
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