Description des mécanismes de 1er ordre dans le transistor bipolaire. Donne la liste des phénomènes de 2e ordre, détaille le modèle dynamique homologue du modèle d'Ebers et Moll. Détaille l'établissement du modèle de Gummel et Poon et présente la version utilisateur H-SPICE. Présentation technologique des structures bipolaires intégrées au silicium. ©Electre 2025
Paru le : 14/10/2004
Thématique : Electronique
Auteur(s) : Non précisé.
Éditeur(s) :
Lavoisier-Hermès
Lavoisier
Collection(s) : Traité EGEM
Contributeur(s) : Directeur de publication : Philippe Cazenave
Série(s) : Modélisation du transistor bipolaire intégré
ISBN : Non précisé.
EAN13 : 9782746209879
Reliure : Relié
Pages : 335
Hauteur: 24.0 cm / Largeur 16.0 cm
Poids: 690 g
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