Ces travaux de recherche se rapportent à l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que l'amplification large bande... ©Electre 2025
Paru le : 07/12/2010
Thématique : Littérature Française
Auteur(s) : Auteur : Audrey Martin
Éditeur(s) :
Editions Universitaires Européennes
Collection(s) : Non précisé.
Série(s) : Non précisé.
ISBN : Non précisé.
EAN13 : 9786131550058
Reliure : Broché
Pages : 232
Hauteur: 22.0 cm / Largeur 15.0 cm
Poids: 347 g
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