Pour la réalisation des transistors FDSOI 22 nm et 3D FinFET 10 nm, la gravure de couches ultraminces de quelques nanomètres d'épaisseur doit être réalisée sans endommagement de la couche sous-jacente et n'est plus envisageable avec les procédés reposant sur les plasmas continus à haute densité... ©Electre 2025
Paru le : 01/11/2018
Thématique : Littérature Française
Auteur(s) : Auteur : Jérôme Dubois
Éditeur(s) :
Editions Universitaires Européennes
Collection(s) : Non précisé.
Série(s) : Non précisé.
ISBN : Non précisé.
EAN13 : 9783639607581
Reliure : Broché
Pages : 188
Hauteur: 23.0 cm / Largeur 16.0 cm
Épaisseur: 1.1 cm
Poids: 285 g
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